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RCD100N19TL

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RCD100N19TL

MOSFET N-CH 190V 10A CPT3

compliant

RCD100N19TL Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.46200 -
1163 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 190 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 10A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 182mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2000 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor CPT3
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

DMNH45M7SCT
NTB5405NT4G
NTB5405NT4G
$0 $/pedazo
IXTA76P10T
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$0 $/pedazo
P3M171K0F3
STB100NF03L-03T4
BUK9245-55A,118
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$0 $/pedazo
NTMTS0D7N06CTXG
NTMTS0D7N06CTXG
$0 $/pedazo
IPL60R065C7AUMA1

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