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RCJ081N20TL

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MOSFET N-CH 200V 8A LPTS

compliant

RCJ081N20TL Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $0.43500 -
2,000 $0.40600 -
851 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 770mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5.25V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 8.5 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 330 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor LPTS
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

BSC066N06NSATMA1
NTMYS014N06CLTWG
NTMYS014N06CLTWG
$0 $/pedazo
R6535KNX3C16
SQJQ112ER-T1_GE3
EPC2031
EPC2031
$0 $/pedazo
ZXM61P03FTA
DMP3099LQ-13

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