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RQ3E080GNTB

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MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

compliant

RQ3E080GNTB Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.12375 -
6,000 $0.11625 -
15,000 $0.10875 -
30,000 $0.10500 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 16.7mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 5.8 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 295 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
paquete / caja 8-PowerVDFN
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Número de pieza relacionado

IXFH160N15T2
IXFH160N15T2
$0 $/pedazo
FDB5645
IXFN102N30P
IXFN102N30P
$0 $/pedazo
STY60NK30Z
STY60NK30Z
$0 $/pedazo
BUK7628-55A/C1118
DMT3020LFDF-13
DMP21D6UFB4-7B
NTBGS1D5N06C
NTBGS1D5N06C
$0 $/pedazo

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