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RQ3E180AJTB

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MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT

SOT-23

no conforme

RQ3E180AJTB Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.40530 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 18A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 2.5V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 11mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 39 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4290 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
paquete / caja 8-PowerVDFN
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Número de pieza relacionado

BS107P
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$0 $/pedazo
IPP015N04NGXKSA1
SIR466DP-T1-GE3
SI7772DP-T1-GE3
NTMFS4939NT1G
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$0 $/pedazo
BUK7610-55AL,118
CSD25402Q3A
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$0 $/pedazo
STU6N90K5
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BSS159NL6906
NVTR4502PT1G
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