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RV2C001ZPT2L

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MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3

compliant

RV2C001ZPT2L Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
8,000 $0.05800 -
16,000 $0.04930 -
24,000 $0.04640 -
56,000 $0.04350 -
200,000 $0.04060 -
15300 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 100mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.2V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 100µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) ±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 15 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 100mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor VML1006
paquete / caja SC-101, SOT-883
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Número de pieza relacionado

SI4464DY-T1-E3
SI1308EDL-T1-GE3
TPIC5621LDW
TPIC5621LDW
$0 $/pedazo
IXTQ42N25P
IXTQ42N25P
$0 $/pedazo
SI2303CDS-T1-BE3
RM120N85T2
RM120N85T2
$0 $/pedazo
IRFB52N15DPBF
NVMFS5C638NLWFT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
$0 $/pedazo
2SK3800VR
2SK3800VR
$0 $/pedazo

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