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SCT3030ALHRC11

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SICFET N-CH 650V 70A TO247N

compliant

SCT3030ALHRC11 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $42.32000 $42.32
10 $39.48000 $394.8
25 $37.82480 $945.62
100 $34.27890 $3427.89
270 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 70A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 18V
rds activado (máximo) @ id, vgs 39mOhm @ 27A, 18V
vgs(th) (máximo) @ id 5.6V @ 13.3mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 104 nC @ 18 V
vgs (máximo) +22V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1526 pF @ 500 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 262W
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247N
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

FDP8441
FDP8441
$0 $/pedazo
RM80N30LD
RM80N30LD
$0 $/pedazo
NTS4001NT1G
NTS4001NT1G
$0 $/pedazo
STP5NK80ZFP
IPS60R400CEAKMA1
FDMC8676
STI16N65M5
STI16N65M5
$0 $/pedazo
IRL640PBF
IRL640PBF
$0 $/pedazo

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