Welcome to ichome.com!
Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | N-Channel |
tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 24A (Tc) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 18V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 137mOhm @ 7.6A, 18V |
vgs(th) (máximo) @ id | 5.6V @ 3.81mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 51 nC @ 18 V |
vgs (máximo) | +22V, -4V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 574 pF @ 800 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 134W |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
tipo de montaje | Through Hole |
paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-4L |
paquete / caja | TO-247-4 |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.