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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | N-Channel |
tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 650 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 21A (Tc) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 18V |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V |
vgs(th) (máximo) @ id | 5.6V @ 3.33mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 38 nC @ 18 V |
vgs (máximo) | +22V, -4V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 460 pF @ 500 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 103W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
tipo de montaje | Through Hole |
paquete de dispositivo del proveedor | TO-247N |
paquete / caja | TO-247-3 |
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