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SCT3120ALGC11

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SICFET N-CH 650V 21A TO247N

no conforme

SCT3120ALGC11 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $7.26000 $7.26
10 $6.55800 $65.58
30 $6.25267 $187.5801
120 $5.42900 $651.48
270 $5.18500 $1399.95
510 $4.72751 $2411.0301
1,020 $4.27000 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 21A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 18V
rds activado (máximo) @ id, vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (máximo) @ id 5.6V @ 3.33mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 18 V
vgs (máximo) +22V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 460 pF @ 500 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 103W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247N
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

STL12N60M2
STL12N60M2
$0 $/pedazo
NTD23N03R-001
NTD23N03R-001
$0 $/pedazo
FDBL9406-F085
FDBL9406-F085
$0 $/pedazo
XP151A12A2MR-G
NVMFS6H836NWFT3G
NVMFS6H836NWFT3G
$0 $/pedazo
NTMFS5H425NLT1G
NTMFS5H425NLT1G
$0 $/pedazo
R6507ENXC7G

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