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SCT3160KW7TL

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SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

compliant

SCT3160KW7TL Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $11.80000 $11.8
500 $11.682 $5841
1000 $11.564 $11564
1500 $11.446 $17169
2000 $11.328 $22656
2500 $11.21 $28025
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 17A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs 208mOhm @ 5A, 18V
vgs(th) (máximo) @ id 5.6V @ 2.5mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 18 V
vgs (máximo) +22V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 398 pF @ 800 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 100W
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263-7
paquete / caja TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Número de pieza relacionado

UF3SC120016K4S
UF3SC120016K4S
$0 $/pedazo
FQPF5N60CYDTU
SQ2364EES-T1_GE3
BUK7516-55A,127
BUK7516-55A,127
$0 $/pedazo
FDMC8327L
FDMC8327L
$0 $/pedazo
APT23F60B
AUIRF1324WL
SIHP24N65EF-GE3

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