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SH8M13GZETB

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MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL

no conforme

SH8M13GZETB Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.38360 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N and P-Channel
característica fet -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6A, 7A
rds activado (máximo) @ id, vgs 29mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 18nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1200pF @ 10V
potencia - máx. 2W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP
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Número de pieza relacionado

FDG6301N_D87Z
FDG6301N_D87Z
$0 $/pedazo
IRF7754GTRPBF
SI4388DY-T1-E3
SI4618DY-T1-GE3
AUIRF7342Q
SI5903DC-T1-GE3
ZXMD63N03XTC
SI6933DQ-T1-GE3

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