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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| configuración impulsada | High-Side |
| tipo de canal | Single |
| Número de conductores | 1 |
| tipo de puerta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| voltaje - suministro | - |
| voltaje lógico - vil, vih | - |
| Corriente - salida pico (fuente, sumidero) | 26mA |
| tipo de entrada | Non-Inverting |
| voltaje del lado alto - máximo (bootstrap) | - |
| tiempo de subida/bajada (típico) | 390ns, 1430ns |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 80°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | Die |
| paquete de dispositivo del proveedor | Die |
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