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SI8275BBD-IS1R

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SI8275BBD-IS1R

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

no conforme

SI8275BBD-IS1R Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $2.95500 $2.955
500 $2.92545 $1462.725
1000 $2.8959 $2895.9
1500 $2.86635 $4299.525
2000 $2.8368 $5673.6
2500 $2.80725 $7018.125
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tecnología Capacitive Coupling
Número de canales 2
voltaje - aislamiento 2500Vrms
inmunidad transitoria de modo común (mín.) 200kV/µs
retardo de propagación tplh / tphl (máximo) 75ns, 75ns
distorsión del ancho de pulso (máx.) 8ns
tiempo de subida/bajada (típico) 10.5ns, 13.3ns
corriente - salida alta, baja 1.8A, 4A
corriente - salida pico 4A
voltaje - directo (vf) (típico) -
corriente - cc directa (si) (máx.) -
Voltaje - fuente de alimentación de salida 4.2V ~ 30V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 14-VDFN
paquete de dispositivo del proveedor 14-QFN (5x5)
agencia de aprobación CQC, CSA, UL, VDE
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Número de pieza relacionado

2EDB8259YXUMA1
SI823H8CD-IS3R
NCD57091ADWR2G
NCD57091ADWR2G
$0 $/pedazo
SI8261ACA-C-IS
FOD8342AV
FOD8342AV
$0 $/pedazo
SI823H4CD-IS3R
FOD3150ASDV
FOD3150ASDV
$0 $/pedazo
SI82394CD-IS3R

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