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SI8275GBD-IM1R

SI8275GBD-IM1R

SI8275GBD-IM1R

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

no conforme

SI8275GBD-IM1R Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $3.27000 $3.27
500 $3.2373 $1618.65
1000 $3.2046 $3204.6
1500 $3.1719 $4757.85
2000 $3.1392 $6278.4
2500 $3.1065 $7766.25
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tecnología Capacitive Coupling
Número de canales 2
voltaje - aislamiento 2500Vrms
inmunidad transitoria de modo común (mín.) 200kV/µs
retardo de propagación tplh / tphl (máximo) 75ns, 75ns
distorsión del ancho de pulso (máx.) 8ns
tiempo de subida/bajada (típico) 10.5ns, 13.3ns
corriente - salida alta, baja 1.8A, 4A
corriente - salida pico 4A
voltaje - directo (vf) (típico) -
corriente - cc directa (si) (máx.) -
Voltaje - fuente de alimentación de salida 4.2V ~ 30V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 14-VDFN
paquete de dispositivo del proveedor 14-QFN (5x5)
agencia de aprobación CQC, CSA, UL, VDE
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Número de pieza relacionado

SI8271GAD-IS
FOD3180ASD
SI823H8AD-IS3R
SI823H7BD-IS3R
NCP51561BBDWR2G
NCP51561BBDWR2G
$0 $/pedazo
NCV57091BDWR2G
NCV57091BDWR2G
$0 $/pedazo
SI823H7AD-IS3R
HCPL-5150-100

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