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S4D08120E

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DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

no conforme

S4D08120E Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $4.20000 $4.2
500 $4.158 $2079
1000 $4.116 $4116
1500 $4.074 $6111
2000 $4.032 $8064
2500 $3.99 $9975
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 1200 V
Corriente media rectificada (io) 8A
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.8 V @ 8 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 15 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f 560pF @ 0V, 1MHz
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquete de dispositivo del proveedor DPAK
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
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Número de pieza relacionado

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