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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) | 1200 V |
Corriente media rectificada (io) | 8A |
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si | 1.8 V @ 8 A |
velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
corriente - fuga inversa @ vr | 15 µA @ 1200 V |
capacitancia @ vr, f | 560pF @ 0V, 1MHz |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
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