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S4D20120GTR

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DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

no conforme

S4D20120GTR Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $6.83000 $6.83
500 $6.7617 $3380.85
1000 $6.6934 $6693.4
1500 $6.6251 $9937.65
2000 $6.5568 $13113.6
2500 $6.4885 $16221.25
800 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 1200 V
Corriente media rectificada (io) 20A
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.8 V @ 20 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 200 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f 721pF @ 0V, 1MHz
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C (TJ)
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Número de pieza relacionado

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