Welcome to ichome.com!
| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | N-Channel |
| tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 650 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 30A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 15V, 18V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 55mOhm @ 20A, 18V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 4.2V @ 1mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 39.5 nC @ 18 V |
| vgs (máximo) | +18V, -5V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 920 pF @ 400 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 221W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | H2PAK-7 |
| paquete / caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.