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STB80N4F6AG

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MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

no conforme

STB80N4F6AG Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $0.84640 -
2,000 $0.79580 -
5,000 $0.76038 -
10,000 $0.73508 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 80A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2150 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

MSC035SMA070S
FDV305N
FDV305N
$0 $/pedazo
SIHF12N60E-E3
RS1E180BNTB
PMPB16XNEA115
DMT43M8LFV-7
RM24N200TI
RM24N200TI
$0 $/pedazo

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