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STH130N10F3-2

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STH130N10F3-2

MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2

no conforme

STH130N10F3-2 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $2.06360 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 120A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 9.3mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3305 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor H2Pak-2
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

IPB100N06S3L-03
IRFBC30A
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$0 $/pedazo
IRFR3704ZTRRPBF
IRFP240
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$0 $/pedazo
SI4410DYTRPBF
FCH47N60F
FCH47N60F
$0 $/pedazo
IRF3708STRR
NVMFS5C430NLWFT1G
NVMFS5C430NLWFT1G
$0 $/pedazo
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