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STP120NF10

STP120NF10

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MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB

compliant

STP120NF10 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $3.65000 $3.65
50 $2.93220 $146.61
100 $2.67150 $267.15
500 $2.16326 $1081.63
1,000 $1.82444 -
2,500 $1.73322 -
5,000 $1.66806 -
30 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 110A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 10.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 233 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 5200 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

SIDR610DP-T1-GE3
FCPF190N60E-F154
FCPF190N60E-F154
$0 $/pedazo
IXFR64N60P
IXFR64N60P
$0 $/pedazo
ISL9N302AS3
IXTT74N20P
IXTT74N20P
$0 $/pedazo
IRF5210STRLPBF
FDPF20N50
FDPF20N50
$0 $/pedazo
SIS184DN-T1-GE3
STB120N4F6
STB120N4F6
$0 $/pedazo
SIHFS11N50A-GE3

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