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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Obsolete |
| tipo feto | P-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 20 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 2.5A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 2.7V, 4.5V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 200mOhm @ 1A, 4.5V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 600mV @ 250µA (Min) |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| vgs (máximo) | ±12V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 315 pF @ 15 V |
| característica fet | Schottky Diode (Isolated) |
| disipación de potencia (máxima) | 2W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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