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STS8N6LF6AG

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MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO

compliant

STS8N6LF6AG Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.57090 -
5,000 $0.54549 -
12,500 $0.52734 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 24mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1340 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

HUF76409D3ST
SI2333DS-T1-GE3
SQJA84EP-T1_BE3
IRFP4004PBF
BSH205G2AR
BSH205G2AR
$0 $/pedazo
FDD8782
FDD8782
$0 $/pedazo
IXTH50P10
IXTH50P10
$0 $/pedazo
SIDR668DP-T1-RE3

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