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TSM60N1R4CH C5G

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TSM60N1R4CH C5G

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

SOT-23

no conforme

TSM60N1R4CH C5G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
15,000 $0.46032 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Not For New Designs
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 370 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-251 (IPAK)
paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número de pieza relacionado

IPA80R1K2P7XKSA1
IRFP254PBF
IRFP254PBF
$0 $/pedazo
DMP1012UCB9-7
TN2130K1-G
IRFR2905ZTRPBF
IRF640PBF
IRF640PBF
$0 $/pedazo
BUK7Y153-100EX
SQJ446EP-T1_BE3

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