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TSM60N900CP ROG

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MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

compliant

TSM60N900CP ROG Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.59248 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Not For New Designs
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 900mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 9.7 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 480 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

FDD8876
FDD8876
$0 $/pedazo
SI4842BDY-T1-E3
IXFT86N30T
IXFT86N30T
$0 $/pedazo
SI8812DB-T2-E1
DI035P04PT-AQ
DMN53D0LW-7
FDU8796
IRFP17N50LPBF
SIHG026N60EF-GE3

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