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TSM80N1R2CH C5G

TSM80N1R2CH C5G

TSM80N1R2CH C5G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251

compliant

TSM80N1R2CH C5G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.59000 $1.59
10 $1.43200 $14.32
100 $1.15110 $115.11
500 $0.89530 $447.65
1,875 $0.74182 -
3,750 $0.71624 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 800 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 19.4 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 685 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-251 (IPAK)
paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número de pieza relacionado

AUIRFR4292TRL
RP1E090RPTR
SISA10BDN-T1-GE3
SQJ418EP-T1_BE3
NDS351AN
NDS351AN
$0 $/pedazo
DMT3008LFDF-7
SIHLR120-GE3
SIHLR120-GE3
$0 $/pedazo
STL17N65M5
STL17N65M5
$0 $/pedazo
SIHG30N60E-GE3

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