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CSD18541F5

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MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR

compliant

CSD18541F5 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.15035 -
6,000 $0.14065 -
15,000 $0.13580 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 65mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 777 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 3-PICOSTAR
paquete / caja 3-SMD, No Lead
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Número de pieza relacionado

EPC2007C
EPC2007C
$0 $/pedazo
IRFB3006PBF
IRFP3415PBF
IRFU1N60APBF
IRFU1N60APBF
$0 $/pedazo
FQB65N06TM
IPS60R3K4CEAKMA1

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