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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| configuración impulsada | Half-Bridge |
| tipo de canal | Independent |
| Número de conductores | 2 |
| tipo de puerta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| voltaje - suministro | 9V ~ 14V |
| voltaje lógico - vil, vih | 0.8V, 2.2V |
| Corriente - salida pico (fuente, sumidero) | 1.6A, 1.6A |
| tipo de entrada | Non-Inverting |
| voltaje del lado alto - máximo (bootstrap) | 118 V |
| tiempo de subida/bajada (típico) | 600ns, 600ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete / caja | 10-WDFN Exposed Pad |
| paquete de dispositivo del proveedor | 10-WSON (4x4) |
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