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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo de transistor | NPN |
Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 5.3V |
frecuencia - transición | 11.2GHz |
Figura de ruido (db típ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
ganar | 12.5dB |
potencia - máx. | 900mW |
Ganancia de corriente continua (hfe) (mín.) @ ic, vce | 200 @ 30mA, 5V |
corriente - colector (ic) (máx.) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 3-SMD, Flat Lead |
paquete de dispositivo del proveedor | UFM |
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