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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | N-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 30 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 1.9A (Ta) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 1.8V, 4V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 133mOhm @ 1A, 4V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 1V @ 1mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 1.9 nC @ 4 V |
| vgs (máximo) | ±12V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 123 pF @ 15 V |
| característica fet | Schottky Diode (Isolated) |
| disipación de potencia (máxima) | 500mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | UFV |
| paquete / caja | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
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