Welcome to ichome.com!
Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | P-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 12 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 14A (Ta) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | - |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 9.1mOhm @ 4A, 8V |
vgs(th) (máximo) @ id | 1V @ 1mA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 47 nC @ 4.5 V |
vgs (máximo) | - |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 3350 pF @ 6 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | 6-UDFNB (2x2) |
paquete / caja | 6-WDFN Exposed Pad |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.