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TK16J60W,S1VE

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TK16J60W,S1VE

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

no conforme

TK16J60W,S1VE Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $4.81000 $4.81
500 $4.7619 $2380.95
1000 $4.7138 $4713.8
1500 $4.6657 $6998.55
2000 $4.6176 $9235.2
2500 $4.5695 $11423.75
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 15.8A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.7V @ 790µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1350 pF @ 300 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-3P(N)
paquete / caja TO-3P-3, SC-65-3
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Número de pieza relacionado

SQM110P06-8M9L_GE3
IRLR8256TRPBF
DMP6185SEQ-13
G3R160MT17J
R6530ENZ4C13
SIHP28N65EF-GE3
SUM60020E-GE3

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