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TK560P65Y,RQ

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MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK

compliant

TK560P65Y,RQ Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,000 $0.49000 -
510 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 560mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 240µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 380 pF @ 300 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor DPAK
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

NTMJS0D8N04CLTWG
NTMJS0D8N04CLTWG
$0 $/pedazo
IXTK140N20P
IXTK140N20P
$0 $/pedazo
SIHP21N60EF-GE3
DMNH10H028SK3Q-13
IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P
$0 $/pedazo
SI2301BDS-T1-BE3
BUK662R5-30C,118

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