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TPN11006NL,LQ

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TPN11006NL,LQ

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

compliant

TPN11006NL,LQ Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.31320 -
6,000 $0.30240 -
2899 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 17A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 200µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2000 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 700mW (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-TSON Advance (3.1x3.1)
paquete / caja 8-PowerVDFN
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Número de pieza relacionado

PHD108NQ03LT,118
PHD108NQ03LT,118
$0 $/pedazo
NTD4865N-1G
NTD4865N-1G
$0 $/pedazo
BSH103,215
BSH103,215
$0 $/pedazo
RM30N250DF
RM30N250DF
$0 $/pedazo
IRF6727MTRPBF
STP20NM50FD
DMN3028L-7
UJ4C075044B7S
UJ4C075044B7S
$0 $/pedazo

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