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TPN14006NH,L1Q

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MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

no conforme

TPN14006NH,L1Q Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.32200 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 13A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 14mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 200µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1300 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 700mW (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-TSON Advance (3.1x3.1)
paquete / caja 8-PowerVDFN
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Número de pieza relacionado

FDN360P
FDN360P
$0 $/pedazo
NX3020NAKW,115
APT10035JLL
BUK9635-55A,118
SI7153DN-T1-GE3
SIHP7N60E-GE3

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