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TPH3208LDG

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Transphorm

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

compliant

TPH3208LDG Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $11.35000 $11.35
10 $10.21500 $102.15
60 $9.30700 $558.42
120 $8.39900 $1007.88
300 $7.71800 $2315.4
540 $7.03700 $3799.98
1,020 $6.35600 -
158 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (máximo) @ id 2.6V @ 300µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 8 V
vgs (máximo) ±18V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 760 pF @ 400 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 3-PQFN (8x8)
paquete / caja 3-PowerDFN
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Número de pieza relacionado

SQ4153EY-T1_GE3
BFL4004
BFL4004
$0 $/pedazo
SI4491EDY-T1-GE3
AUIRFR4615TRL
STD11N65M2
STD11N65M2
$0 $/pedazo
CSD19505KCS
CSD19505KCS
$0 $/pedazo
MTA2N60E
MTA2N60E
$0 $/pedazo
IPP114N03LGHKSA1
LND250K1-G

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