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UF3C065030B3

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UF3C065030B3

UnitedSiC

MOSFET N-CH 650V 65A TO263

no conforme

UF3C065030B3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $19.94000 $19.94
500 $19.7406 $9870.3
1000 $19.5412 $19541.2
1500 $19.3418 $29012.7
2000 $19.1424 $38284.8
2500 $18.943 $47357.5
2419 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 65A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 12V
rds activado (máximo) @ id, vgs 35mOhm @ 40A, 12V
vgs(th) (máximo) @ id 6V @ 10mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 51 nC @ 15 V
vgs (máximo) ±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1500 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 242W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (D2Pak)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

BUK9Y3R0-40E,115
STFU8N60DM2
FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
$0 $/pedazo
SI7460DP-T1-GE3
DMN3069L-13
DMP6110SSS-13
SQD50N04-5M6_T4GE3
RD3P175SNTL1
RRH090P03GZETB

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