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UF3C065080T3S

UF3C065080T3S

UF3C065080T3S

UnitedSiC

MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3

no conforme

UF3C065080T3S Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $8.14000 $8.14
500 $8.0586 $4029.3
1000 $7.9772 $7977.2
1500 $7.8958 $11843.7
2000 $7.8144 $15628.8
2500 $7.733 $19332.5
4973 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 31A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 12V
rds activado (máximo) @ id, vgs 100mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (máximo) @ id 6V @ 10mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 51 nC @ 15 V
vgs (máximo) ±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1500 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

SI2377EDS-T1-BE3
SIS782DN-T1-GE3
CSD19503KCS
CSD19503KCS
$0 $/pedazo
NTMFS4C250NT1G
NTMFS4C250NT1G
$0 $/pedazo
NTDV20N06T4G-VF01
NTDV20N06T4G-VF01
$0 $/pedazo
FDP5N50

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