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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| distancia de detección | 3.1mm |
| método de detección | Through-Beam |
| configuración de salida | Phototransistor |
| corriente - cc directa (si) (máx.) | 60 mA |
| corriente - colector (ic) (máx.) | 500 µA |
| Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 70 V |
| Tiempo de respuesta | 10µs, 8µs |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 85°C |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete / caja | Slotted Module, 4-Lead Dual Row |
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