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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
distancia de detección | 3.1mm |
método de detección | Through-Beam |
configuración de salida | Phototransistor |
corriente - cc directa (si) (máx.) | 60 mA |
corriente - colector (ic) (máx.) | 4 mA |
Voltaje - ruptura colector-emisor (máximo) | 70 V |
Tiempo de respuesta | 10µs, 8µs |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 85°C |
tipo de montaje | Through Hole |
paquete / caja | Slotted Module, 4-Lead Dual Row |
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