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IRFD220PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP

compliant

IRFD220PBF Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.23000 $1.23
10 $1.08700 $10.87
100 $0.85940 $85.94
500 $0.66650 $333.25
1,000 $0.52619 -
2,500 $0.49111 -
5,000 $0.46655 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 800mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 800mOhm @ 480mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 260 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor 4-HVMDIP
paquete / caja 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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Número de pieza relacionado

SIHF5N50D-E3
SIHF5N50D-E3
$0 $/pedazo
SIHH27N60EF-T1-GE3
SIHP15N80AEF-GE3
AUIRF540ZS
NTHD3101FT1G
NTHD3101FT1G
$0 $/pedazo
FDD6N50TM
FDD6N50TM
$0 $/pedazo
SISS22DN-T1-GE3
IRFR3806TRPBF
PSMN9R5-100PS,127
PSMN012-100YLX

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