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SI1417EDH-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

no conforme

SI1417EDH-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 12 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.8V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 450mV @ 250µA (Min)
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SC-70-6
paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Número de pieza relacionado

IRFP17N50L
IRFP17N50L
$0 $/pedazo
BUK755R2-40B,127
STB5NK52ZD-1
IRF3305PBF
STF2NK60Z
STF2NK60Z
$0 $/pedazo
IRF6709S2TR1PBF
IRL3303LPBF

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