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SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

no conforme

SI1926DL-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 370mA
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 1.4nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 18.5pF @ 30V
potencia - máx. 510mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivo del proveedor SC-70-6
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Número de pieza relacionado

DMP2045UFDB-7
CSD87353Q5D
CSD87353Q5D
$0 $/pedazo
2N7002BKV,115
IRF7507TRPBF
PMV280ENEA,215
NTMFD5C680NLT1G
NTMFD5C680NLT1G
$0 $/pedazo
BSO211P
BSO211P
$0 $/pedazo
RM2004NE
RM2004NE
$0 $/pedazo
DMG4511SK4-13

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