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SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

no conforme

SI1965DH-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 12V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.3A
rds activado (máximo) @ id, vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 4.2nC @ 8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 120pF @ 6V
potencia - máx. 1.25W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivo del proveedor SC-70-6
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Número de pieza relacionado

SIZ256DT-T1-GE3
DMC2053UVTQ-7
BUK9K35-60E,115
SQ4949EY-T1_GE3
HP8M31TB1
HP8M31TB1
$0 $/pedazo
SLA5041
SLA5041
$0 $/pedazo
SQJB46ELP-T1_BE3
BSO330N02KG
DMNH6022SSDQ-13

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