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SI2308BDS-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

compliant

SI2308BDS-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.18192 -
6,000 $0.17019 -
15,000 $0.15845 -
30,000 $0.15023 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 156mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 6.8 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 190 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

IRF9393TRPBF
HUF75639S3
HUF75639S3
$0 $/pedazo
SQJ186EP-T1_GE3
IXFR15N100Q3
IXFR15N100Q3
$0 $/pedazo
DMP6350SQ-7
FDB86360-F085
FDB86360-F085
$0 $/pedazo
RK7002BMHZGT116

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