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SI2312CDS-T1-BE3

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SI2312CDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SOT-23

no conforme

SI2312CDS-T1-BE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.41000 $0.41
500 $0.4059 $202.95
1000 $0.4018 $401.8
1500 $0.3977 $596.55
2000 $0.3936 $787.2
2500 $0.3895 $973.75
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5A (Ta), 6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.8V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 865 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

XP235N2001TR-G
R6007KNJTL
R6007KNJTL
$0 $/pedazo
2SK3199
2SK3199
$0 $/pedazo
SI3424CDV-T1-BE3
SPA17N80C3XKSA1
ON5441518
ON5441518
$0 $/pedazo
SUM70101EL-GE3
APT43F60B2

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