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SI2324DS-T1-GE3

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SI2324DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3

no conforme

SI2324DS-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.25270 -
6,000 $0.23730 -
15,000 $0.22190 -
30,000 $0.21112 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 234mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.9V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 10.4 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 190 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

R6535KNZ4C13
DMG3402LQ-7
SQ4435EY-T1_BE3
IPP60R040C7XKSA1
SI4062DY-T1-GE3
STI33N65M2
STI33N65M2
$0 $/pedazo
NVMFS5C628NT1G
NVMFS5C628NT1G
$0 $/pedazo
STD4NK80ZT4

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