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SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

compliant

SI2342DS-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 8 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.2V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 800mV @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15.8 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1070 pF @ 4 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

NX138BKWF
NX138BKWF
$0 $/pedazo
FDD5N50FTM-WS
FDD5N50FTM-WS
$0 $/pedazo
DMN3016LK3-13
GPI65005DF
GPI65005DF
$0 $/pedazo
SI7742DP-T1-GE3
CSD25481F4T
CSD25481F4T
$0 $/pedazo
RM2310
RM2310
$0 $/pedazo
IRFR024NTRPBF
RCJ700N20TL

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