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SI2369DS-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236

no conforme

SI2369DS-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.16335 -
6,000 $0.15340 -
15,000 $0.14344 -
30,000 $0.13647 -
75,000 $0.13575 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 7.6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 29mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1295 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número de pieza relacionado

R8007AND3FRATL
IRFI540NPBF
PMV88ENER
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$0 $/pedazo
APT38F80B2
NVTFS5C670NLWFTAG
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$0 $/pedazo
EPC2219
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$0 $/pedazo
FDB14N30TM
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$0 $/pedazo
STP36NF06L
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$0 $/pedazo
FDP5N50NZ
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