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SI3429EDV-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP

compliant

SI3429EDV-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.14746 -
6,000 $0.13899 -
15,000 $0.13052 -
30,000 $0.12035 -
75,000 $0.11612 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8A (Ta), 8A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.8V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 21mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 118 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4085 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número de pieza relacionado

STL8N80K5
STL8N80K5
$0 $/pedazo
SIHG120N60E-GE3
DMP2021UTS-13
SIHU5N50D-E3
SIHU5N50D-E3
$0 $/pedazo
NTD5C688NLT4G
NTD5C688NLT4G
$0 $/pedazo
SISS30DN-T1-GE3
APTM120U10SAG
FDD5810

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