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SI3459BDV-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP

SOT-23

no conforme

SI3459BDV-T1-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 216mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 350 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número de pieza relacionado

2N7002KW
2N7002KW
$0 $/pedazo
NVHL060N090SC1
NVHL060N090SC1
$0 $/pedazo
IRFR9024NTRPBF
BSS123TA
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$0 $/pedazo
NX138BKR
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$0 $/pedazo
IXFN24N100
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$0 $/pedazo
STW21N65M5
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$0 $/pedazo
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