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SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

no conforme

SI3529DV-T1-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.5A, 1.95A
rds activado (máximo) @ id, vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 7nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 205pF @ 20V
potencia - máx. 1.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
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Número de pieza relacionado

ZXMC4A16DN8TC
IRF7335D1TR
SIA913DJ-T1-GE3
SI1903DL-T1-E3
IRF7757TRPBF
SI7904DN-T1-E3
NTGD4161PT1G
NTGD4161PT1G
$0 $/pedazo
IRF5851TRPBF

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